Untersuchungen diffusionsinduzierter Defekte in GaP und GaSb mittels Transmissionselektronenmikroskopie formatIsbn:Softcover - 9783838611846 Darauf folgt die Auseinandersetzung mit

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Untersuchungen diffusionsinduzierter Defekte in GaP und GaSb mittels Transmissionselektronenmikroskopie formatIsbn:Softcover - 9783838611846 Darauf folgt die Auseinandersetzung mitInhaltsangabe: Einleitung: Die Verbindungshalbleiter GaP und GaSb finden wegen ihrer elektronischen Eigenschaften insbesondere Anwendung in der Opto und Mikroelektronik. Um zu einem besseren Verstndnis der zugrundeliegenden Mechanismen bei Zn Diffusion in GaP und GaSb zu gelangen, haben wir Diffusionsexperimente durchgefhrt. Die Diffusionsglhungen wurden an versetzungsfreien, intrinsischen GaP(001) und GaSb(001) Wafern in Quarzglasampullen unter